Aplicațiile substratului de nitrură de siliciu în dispozitivele semiconductoare beneficiază în principal de conductivitatea termică excelentă și de rezistența la temperaturi ridicate.
1. Conductivitate termică
Performanță de disipare a căldurii: Dispozitivele cu semiconductor produc multă căldură în timpul muncii. Conductivitatea termică ridicată a substratului de nitrură de siliciu facilitează conducerea și distribuția rapidă a acestei călduri, reducând astfel temperatura de funcționare a dispozitivului și îmbunătățind stabilitatea și fiabilitatea acestuia.
Managementul termic: În aplicații de mare putere, cum ar fi modulul IGBT al vehiculelor electrice, substratul de nitrură de siliciu poate gestiona eficient fluxul de căldură, poate reduce tensiunea termică și poate evita deteriorarea dispozitivului din cauza supraîncălzirii.
Performanța ciclului termic: Conductivitatea termică ridicată și coeficientul de expansiune termică scăzut al substratului de nitrură de siliciu îl fac să arate performanțe excelente ale ciclului termic în procesul de ciclu termic. Acest lucru este deosebit de important pentru aplicațiile care necesită comutare frecventă și experimentează schimbări rapide de temperatură (de exemplu, iluminat cu LED).
2. Performanță de rezistență la temperatură ridicată
Stabilitate la temperatură ridicată: Substraturile de nitrură de siliciu își mențin în continuare proprietățile mecanice și electrice la temperaturi ridicate, ceea ce este esențial pentru dispozitivele semiconductoare care trebuie să funcționeze în medii la temperaturi ridicate. De exemplu, în modulul de control al motorului auto, substratul de nitrură de siliciu se poate asigura că dispozitivul funcționează corect la temperaturi ridicate.
Proprietăți antioxidante: Substratul de nitrură de siliciu are proprietăți antioxidante excelente și nu poate fi oxidat în medii de până la 1400 de grade. Acest lucru îi conferă o durată de viață mai lungă și o fiabilitate mai mare în aplicațiile de temperatură ridicată.
Potrivirea expansiunii termice: Coeficientul de expansiune termică al substratului de nitrură de siliciu se potrivește cu multe materiale semiconductoare (de exemplu, carbură de siliciu), care ajută la reducerea stresului și a fisurilor cauzate de nepotrivirea expansiunii termice și îmbunătățește performanța generală și durata de viață a dispozitivului.
Procesare la temperaturi ridicate: Substratul de nitrură de siliciu își poate menține structura și performanța în timpul procesării la temperaturi ridicate, ceea ce este foarte important pentru procesul de fabricație a dispozitivelor semiconductoare care necesită sinterizare la temperatură ridicată sau tratament termic
În general, conductivitatea termică ridicată și rezistența la temperatură ridicată a substraturilor de nitrură de siliciu permit dispozitivelor semiconductoare să funcționeze la temperaturi mai ridicate și condiții mai solicitante, îmbunătățind astfel performanța lor generală. Mai mult, prin disiparea eficientă a căldurii și o rezistență la temperatură ridicată, substratul de nitrură de siliciu poate ajuta la prelungirea duratei de viață a dispozitivelor semiconductoare și la reducerea costurilor de întreținere și înlocuire. Pe baza acestor caracteristici, substratul de nitrură de siliciu are o gamă largă de aplicații, cum ar fi aerospațial, militar, control industrial și vehicule energetice noi.
Taisheng New Material Technology Co.ltd
Pentru întrebări și comenzi, PLS nu ezitați să contactați zooey@zbtaisheng.com și să apelați +86-19563011390.
